蚀刻机都是晶圆生产线的核心设备，由于晶圆生产的技术原理起源于相机，因此可以近似的把光刻机看成拍摄，蚀刻机看成冲洗，加工完成的晶圆就是相片。

    七十年代中期，主流蚀刻机对经过光刻机曝光之后晶圆都是采用液体化学溶剂冲洗光刻胶，因此也叫湿式蚀刻，七十年代末八十年代初，东洋尼康采用气体冲洗的干式蚀刻机研制成熟，只用了几年的时间就淘汰了操作复杂腐蚀污染严重的湿式蚀刻。

    可惜，整整二十多年，整个东洋也没人想到把湿式工艺挪移到上一个生产环节。

    一般来说，浸入式光刻机有三种技术路线

    第一种是喷淋法，顾名思义就是把水喷到晶圆上然后再迅速带走，常见的喷淋法工艺是在镜头的一侧设置一个超精密喷嘴，随着镜头加工运动把水喷到镜头下方，然后从镜头的另一侧把水吸走。

    这个方法对超精密加工能力和计算机控制能力要求极高，在镜头下方的工作区稳定的建立起那层超薄水膜不比生产光刻机简单到哪去，如果精密加工和精密控制的能力不行，会导致晶圆边缘的曝光很差，严重影响晶圆生产线的良品率。

    不过喷淋法最大的优点就是能完整的利用现有设备，可以说这套喷水和吸水的设备完全独立于晶圆生产线，只和光刻镜头联动，进行晶圆生产线技术升级时难度和改建成本都极低。

    第二种叫浴缸法，这个方法和梁远刚刚说的灵感类似，就是把整片晶圆都丢在水里，装晶圆的容器浴缸随着晶圆工作台移动。

    这种方法的好处是工程上的技术难度较低，不会对晶圆生产线的良品率造成负面影响，不过缺点是要对现有的晶圆生产线做较大的改动，必须研制全新的能在水中工作的光刻胶，必须对晶圆工作台加以改进，而且由于晶圆工作台上增加了水的重量，晶圆生产线的生产节拍也会随之改变，相比喷淋法晶圆生产线的生产效率会有一定幅度的下降。

    第三种叫泳池法，就是把整个光刻程序都丢进水里来完成，这种方法虽然能最大化的减少线宽，不过在水中操作相当于重新研发一套晶圆生产体系，无论工程难度还是经济成本都双双过高。

    新世纪之后，浸入式光刻机的国际主流路线采用了喷淋法，不过以港基集电目前的实力来说，第二种浴缸法才是最合适的，新世纪之后尼康和艾斯摩尔之所以选了喷淋法路线，一个是两家精密加工和精密控制的水准高没门槛，另一个是国际上现存的光刻设备大部分都是这俩家卖的，当然是升级成本越低升级方式越简单越好。

    九十年代初，制程工艺和芯片设计之间的分界远没有未来那般清晰，技术大佬三人组目前虽然都是以芯片设计为主业，但三人都对晶圆制程了如指掌，随便丢到那条产线上当个线长绝对是富富有余。

    刘飞扬在纸上龙飞凤舞的写了大半张的算式，然后抬头用无法置信的语气对梁远说道“大少，如果从西门子引进的设备投产，把大少这个想法放进生产线，我们直接就撵上国际先进水准了”

    港基集电主导的共和国的火炬计划属于基础科研类，压根就没有保密一说，港基集电的财务审计是通过第三方的会计师事务所交叉审计，梁远打算采购大批的国产5微米晶圆生产线，在财务报表上根本无法隐藏。

    当然，引进第三方会计师事务所虽然一定程度上不利于企业保密，但对国际交流引进技术还是很有促进作用的。

    随着港基集电5微米晶圆产线的成熟量产，此时的海外电子产业界巨头已经意识到，3微米线宽对港基集电来说随时都可能获得突破，一旦港基集电自主突破了3微米的制程技术，2微米的海外制程技术很可能没有花大价钱引进的必要了。

    因此这次苏良宇等人这次去西门子谈判，受到了西门子半