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正文 第520章 发明MLC闪存技术
制栅极多层注入电荷技术的mcl产品,彻底统治mlc闪存专利市场,直到把闪存技术推向tlc和3d-nand制程!

    这时奚龙山突然开口问道:“胡总,我有个问题,你这么一搞,的确让一个存储单位可以承载四个信息,比以前翻了一倍,可接下来怎么读取呢?”

    胡一亭笑了起来:“这四种情况的电压是不同的呀,我们只要设计出一套解码电路,用于读取并解析数据就行,根据我的初步设计,可以把0.5v-2.5v设定为11,2.5v-4v设定为10,4v-5.5v设定为01,5.5v到6v设定为00,具体的解码电路设计我已经有了腹稿,这款芯片的初步设计我已经胸有成竹,上周我已经把slc芯片设计改良完成,本周我就把这款mlc的芯片设计拿出来,下周就能进行制程工艺流程的设计,最晚月底,我们就对这款mlc进行第一次工程流片!”

    说完胡一亭意气风发,高高举起右手指着天花板:“我告诉大家!重光将成为世界上第一家采用mlc技术的闪存设计企业!重光的专利将永载史册!而这项专利必将让我们得以摆脱目前所受的英特尔和东芝的闪存专利束缚,抵消我们需缴纳给国际闪存技术联盟的专利费!并很有可能反过来赚他们的钱!”

    奚龙山惊讶的合不拢嘴,上唇哆嗦着,轻声感慨道:“胡总……真神人也……”
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